Transmission electron microscopy – TEM (Talos F 200X Gen2 )

Price

Price
 Ion milling per sample 3000
 F200X Instrument usage per hour 2450
 F200X Instrument usage per half hour 1225
 Photo per shot 50
 Qualitative analysis (1 spot) per sample 350
 Mapping Element (1 area) per sample 500
 Energy loss spectroscopy (EELS) 1000
Price
 Ion milling per sample (Other University) 3000
 F200X Instrument usage per hour (Other University) 2800
 F200X Instrument usage per half hour (Other University) 1400
 Photo per shot 50
 Qualitative analysis (1 spot) per sample 350
 Mapping Element (1 area) per sample 500
 Energy loss spectroscopy (EELS) 1000
Price
 Ion milling per sample (Government) 3000
 F200X Instrument usage per hour (Government) 3150
 F200X Instrument usage per half hour (Government) 1575
 Photo per shot 50
 Qualitative analysis (1 spot) per sample 350
 Mapping Element (1 area) per sample 500
 Energy loss spectroscopy (EELS) 1000
Price
 Ion milling per sample (Enterprise) 3000
 F200X Instrument usage per hour (Enterprise) 3500
 F200X Instrument usage per half hour (Enterprise) 1750
 Photo per shot 50
 Qualitative analysis (1 spot) per sample 350
 Mapping Element (1 area) per sample 500
 Energy loss spectroscopy (EELS) 1000

Transmission electron microscopy – TEM 

Thermo Fisher Scientific

Model : Talos F 200X Gen2

กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนชนิดส่องผ่านเป็นเครื่องมือสำหรับวิเคราะห์ลักษณะโครงสร้างของตัวอย่างโดยการถ่ายภาพกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนชนิดส่องผ่านประกอบด้วย electron gun, magnetic lens และfluorescece screen โดย electron gun จะปลดปล่อยอิเล็กตรอนจาก filament ที่ถูกทำให้ร้อนโดยการใช้กระแสไฟฟ้าหลังจากนั้นอิเล็กตรอนจะถูกเร่งด้วยความต่างศักย์สูงในช่วงประมาณ 80 ถึง 200 กิโลโวลต์ ทำให้อิเล็กตรอนมีพลังงานเพียงพอที่จะทะลุผ่านตัวอย่างได้ ลำอิเล็กตรอนนี้จะเคลื่อนที่ผ่านเลนส์ชุดแรกที่จะทำหน้าที่รวบรวมอิเล็กตรอนและฉายลงบนตัวอย่าง(Condenser lens) หลังจากที่อิเล็กตรอนกระทบตัวอย่างจะเกิด interaction กับตัวอย่างได้เป็นอิเล็กตรอน 2 กลุ่มคือกลุ่มที่เคลื่อนที่ผ่านตัวอย่างโดยไม่มีการเลี้ยวเบน (Transmission beam) และกลุ่มที่มีการเลี้ยวเบน (Diffraction beam) อิเล็กตรอนทั้ง 2 กลุ่มนี้จะเคลื่อนที่มายัง objective lens แล้วถูกสร้างเป็นภาพ bright-field image, dark-field image และ electron diffraction pattern

Feature

  • สามารถถ่ายกำลังขยาย(HR) สูงสุด 1.05 ล้านเท่า ความละเอียด 4kx4k
  • สามารถถ่ายภาพในโหมด STEM HAADF
  • สามารถถ่ายภาพตัวอย่างที่มีสถาพความเป็นแม่เหล็ก
  • สามารถถ่ายภาพ Tomography แบบ สามมิติ 3D
  • สามารถวิเคราะห์ธาตุและMapping ธาตุ
  • สามารถวิเคระห์โดยเทคนิค Selected area electron diffraction (SAED)

Application

สามารถถ่ายภาพโครงสร้างด้วยกำลังสุง 1.05 ล้านเท่า High Resolution image (HR) สามารถวิเคราะห์ตัวอย่างที่เป็นของแข็งพื่อศึกษาลักษณะการจัดเรียงตัวของอะตอมสำหรับกรณีที่ตัวอย่างมีโครงสร้างผลึกและศึกษาการกระจายตัวของธาตุที่กระจายอยู่ภายในตัวอย่าง

Sample

ขนาดตัวอย่างที่เหมาะสม ความหนาไม่เกิน 100 นาโนเมตร

ตัวอย่างต้องไม่มีความชื้น ปราศจากน้ำมัน

ตัวอย่างผงใช้เพียง 1 g หรือน้อยกว่า

Staff

นายบุญเหลือ เงาถาวรชัย

นายบุญเหลือ เงาถาวรชัย

นักวิทยาศาสตร์ชำนาญการพิเศษ

Contact

Email : Boonlaer.N@chula.ac.th

Tel. : 0-2218-8246

STREC - Scientific and Technological Research Equipment Centre