Transmission electron microscopy – TEM (Talos F 200X Gen2 )
Price
Price | |
Ion milling per sample | 3000 |
F200X Instrument usage per hour | 2450 |
F200X Instrument usage per half hour | 1225 |
Photo per shot | 50 |
Qualitative analysis (1 spot) per sample | 350 |
Mapping Element (1 area) per sample | 500 |
Energy loss spectroscopy (EELS) | 1000 |
Price | |
Ion milling per sample (Other University) | 3000 |
F200X Instrument usage per hour (Other University) | 2800 |
F200X Instrument usage per half hour (Other University) | 1400 |
Photo per shot | 50 |
Qualitative analysis (1 spot) per sample | 350 |
Mapping Element (1 area) per sample | 500 |
Energy loss spectroscopy (EELS) | 1000 |
Price | |
Ion milling per sample (Government) | 3000 |
F200X Instrument usage per hour (Government) | 3150 |
F200X Instrument usage per half hour (Government) | 1575 |
Photo per shot | 50 |
Qualitative analysis (1 spot) per sample | 350 |
Mapping Element (1 area) per sample | 500 |
Energy loss spectroscopy (EELS) | 1000 |
Price | |
Ion milling per sample (Enterprise) | 3000 |
F200X Instrument usage per hour (Enterprise) | 3500 |
F200X Instrument usage per half hour (Enterprise) | 1750 |
Photo per shot | 50 |
Qualitative analysis (1 spot) per sample | 350 |
Mapping Element (1 area) per sample | 500 |
Energy loss spectroscopy (EELS) | 1000 |
Transmission electron microscopy – TEM
Thermo Fisher Scientific
Model : Talos F 200X Gen2
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนชนิดส่องผ่านเป็นเครื่องมือสำหรับวิเคราะห์ลักษณะโครงสร้างของตัวอย่างโดยการถ่ายภาพกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนชนิดส่องผ่านประกอบด้วย electron gun, magnetic lens และfluorescece screen โดย electron gun จะปลดปล่อยอิเล็กตรอนจาก filament ที่ถูกทำให้ร้อนโดยการใช้กระแสไฟฟ้าหลังจากนั้นอิเล็กตรอนจะถูกเร่งด้วยความต่างศักย์สูงในช่วงประมาณ 80 ถึง 200 กิโลโวลต์ ทำให้อิเล็กตรอนมีพลังงานเพียงพอที่จะทะลุผ่านตัวอย่างได้ ลำอิเล็กตรอนนี้จะเคลื่อนที่ผ่านเลนส์ชุดแรกที่จะทำหน้าที่รวบรวมอิเล็กตรอนและฉายลงบนตัวอย่าง(Condenser lens) หลังจากที่อิเล็กตรอนกระทบตัวอย่างจะเกิด interaction กับตัวอย่างได้เป็นอิเล็กตรอน 2 กลุ่มคือกลุ่มที่เคลื่อนที่ผ่านตัวอย่างโดยไม่มีการเลี้ยวเบน (Transmission beam) และกลุ่มที่มีการเลี้ยวเบน (Diffraction beam) อิเล็กตรอนทั้ง 2 กลุ่มนี้จะเคลื่อนที่มายัง objective lens แล้วถูกสร้างเป็นภาพ bright-field image, dark-field image และ electron diffraction pattern
Feature
- สามารถถ่ายกำลังขยาย(HR) สูงสุด 1.05 ล้านเท่า ความละเอียด 4kx4k
- สามารถถ่ายภาพในโหมด STEM HAADF
- สามารถถ่ายภาพตัวอย่างที่มีสถาพความเป็นแม่เหล็ก
- สามารถถ่ายภาพ Tomography แบบ สามมิติ 3D
- สามารถวิเคราะห์ธาตุและMapping ธาตุ
- สามารถวิเคระห์โดยเทคนิค Selected area electron diffraction (SAED)
Application
สามารถถ่ายภาพโครงสร้างด้วยกำลังสุง 1.05 ล้านเท่า High Resolution image (HR) สามารถวิเคราะห์ตัวอย่างที่เป็นของแข็งพื่อศึกษาลักษณะการจัดเรียงตัวของอะตอมสำหรับกรณีที่ตัวอย่างมีโครงสร้างผลึกและศึกษาการกระจายตัวของธาตุที่กระจายอยู่ภายในตัวอย่าง
Sample
ขนาดตัวอย่างที่เหมาะสม ความหนาไม่เกิน 100 นาโนเมตร
ตัวอย่างต้องไม่มีความชื้น ปราศจากน้ำมัน
ตัวอย่างผงใช้เพียง 1 g หรือน้อยกว่า
Staff

นายบุญเหลือ เงาถาวรชัย
นักวิทยาศาสตร์ชำนาญการพิเศษ
Contact
Email : Boonlaer.N@chula.ac.th
Tel. : 0-2218-8246